ми крепежными средствами, могут применяться до температуры не выше 370 °C. Особые формы исполнения. Полупроводниковые тензорезисто- ры выпускают в очень ограниченных вариантах исполнения. Пред ставляет интерес конструкция, изображенная на рис. 12.8, б и со стоящая из двух полупроводниковых тензорезисторов, один из которых выполнен из кремния с дырочной (p-типа) проводи мостью, а другой — из кремния с электронной (п-типа) проводи мостью. Они расположены в пространстве взаимно параллельно и включены в полумостовую схему. Чувствительность при этом уве личивается почти вдвое, что обусловлено суммированием сигналов в мостовой схеме и частичной компенсацией искажающих влияний, особенно температурных. 12.5. Напыленные тензорезисторы Решетка напыленных тензорезисторов может быть выполнена как из металла, так и из полупроводникового материала. Напылен ные тензорезисторы равнозначны обычным тензорезисторам. Это относится как к металлическим, так и к полупроводниковым тензо резисторам. Основное различие между обычными и напыленными тензорезисторами заключается в технологии их изготовления. Приведенные сопоставления полупроводниковых тензорезисто ров с металлическими справедливы еще в большей степени для напыленных тензорезисторов. Технология напыления позволяет без затруднений получать высокоомные металлические решетки. В ряде случаев это может явиться значительным преимуществом, например, если используются маломощные источники энергии (ба тареи, преобразователи). Технология получения напыленных тензорезисторов определяет технически возможные и экономически целесообразные границы их применения. Основные особенности напыленных терморезисто ров заключаются в следующем: • напыленные тензорезисторы отличаются очень малой толщи ной изолирующего слоя и решетки и требуют очень малой поверх ности для монтажа, поэтому они могут использоваться совмест но с очень небольшими и тонкими измерительными пружинами, не опасаясь обратного действия на последние; • за один рабочий цикл можно одновременно напылять с высо кой экономичностью большое число тензорезисторов (более 100), если они достаточно малы; • техника напыления позволяет наносить полные мостовые схе мы, которые могут быть сравнительно высокоомными (60 000 Ом и более); 206
RkJQdWJsaXNoZXIy MTExODQxMg==