a б Рис. 12.9. Характеристики полупроводниковых тензорезисторов: а — типа SP-18-35 из кремния с р-проводимостью (0,02 Ом • см): 1 — R/Ro = ке + се2 = 119,5е + 4000е2; 2 — R/Ro = ke = 119,5е; б — типа TNB3-18-35 из кремния с п-проводимостью (0,031 Ом • см): 1 —R/Ro = ке + се2 = -1106 + 10 ОООе2; 2 — R/Rq = ке = - 110е По электрическому сопротивлению полупроводниковые тензо- резисторы подразделяются на две группы: низкоомные с сопротив лением от 60 до 500 Ом и высокоомные с сопротивлением от 1000 до 10 000 Ом. Высокоомные тензорезисторы допускают использование высоко го напряжения питания и соответственно получение больших изме рительных сигналов без опасения чрезмерного перегрева решетки. Температурная характеристика. Полупроводниковые тензо резисторы, как безосновные, так и снабженные соответствующи205
RkJQdWJsaXNoZXIy MTExODQxMg==