12.4. Полупроводниковые тензорезисторы Полупроводниковые тензорезисторы расширяют возможности применения металлических тензорезисторов. Они приблизительно в 50 раз более чувствительны, поэтому могут использоваться для ре шения специальных задач и конструирования измерительных пре образователей, допускающих включение в простые электрические устройства. Успехи усилительной техники в значительной мере усиливают преимущество полупроводниковых тензорезисторов в отношении высокой чувствительности. Несмотря на это полупро водниковые тензорезисторы применяются редко, что объясняется их высокой стоимостью, нелинейностью характеристики и трудно стью компенсации разных тепловых эффектов. Конструктивное исполнение. Конструктивное исполнение по лупроводниковых тензорезисторов (рис. 12.8) в основном подобно конструкции металлического тензорезистора. Однако чувствитель ный элемент представляет собой тонкую узкую полоску из полу проводящего материала шириной в несколько десятых миллиметра и толщиной в несколько сотых миллиметра. Полупроводниковые датчики можно наносить на подложку обычно применяемыми в по лупроводниковой промышленности методами диффузионного леги рования. Все остальное, что касается конструктивного исполнения металлических тензорезисторов, применимо и к полупроводнико вому тензорезистору. Рис. 12.8. Полупроводниковые тензорезисторы: а — линейный; б — сочетание резисторов из кремния с р- и п-проводимостью; 1 — р-кремний; 2 — п-кремний Принцип работы. Работа полупроводникового тензорезистора основана на так называемом эффекте пьезосопротивления полупро водникового материала. 203
RkJQdWJsaXNoZXIy MTExODQxMg==