2) . 2 < К < 3...4, (N < 10000) - интегральная схема средней сте пени интеграции (СИС или MSI); 3) . 3...4 < К < 5, (N < 105) —большая интегральная схема (БИС или LSI); 4) . К > 5, (N > 105) —сверхбольшая интегральная схема (СБИС или VLSI). Сокращения, приведенные на английском языке, имеют следующий смысл: IS - Integrated Circuit; MSI - Medium Scale Integration; LSI - Large Scale Integration; VLSI - Very Large Scale Integration. Иногда сложность ИС характеризуют таким показателем, как плотность упаковки. Это количество компонентов, приходящихся на единицу площади кристалла. Этот показатель характеризует уровень технологии, и в настоящее время он составляет ~ 1000 компоПри изготовлении интегральных схем используется групповой метод производства и в основном планарная технология. Групповой метод производства предполагает изготовление на одной полупроводниковой пластине большого количества однотипных ИС и одновременную обработку десятков таких пластин. После завершения цикла изготовления пластины разрезаются в двух взаимно перпендикулярных направлениях на отдельные кристаллы - чипы (chip), каждый из которых представляет собой ИС. Планарная (плоскостная) технология - это такая организация технологического процесса, при которой все составляющие ИС формируются в одной плоскости. Необходимо отметить, что создание и освоение изделий микроэлектроники является чрезвычайно дорогостоящим делом. Стоимость D одной ИС (одного кристалла) упрощенно можно вычислить следующим образом: где А - затраты на НИР и ОКР по созданию ИС; В - затраты на технологическое оборудование; С - текущие расходы на материалы, электроэнергию, заработную плату в пересчете на одну пластину; Z - количество пластин, изготавливаемых до амортизации основных производственных фондов; X - количество кристаллов на пластине; нентов/мм2.
RkJQdWJsaXNoZXIy MTExODQxMg==