Появление ЭСЛ логики связано с повышением быстродействия цифровых устройств за счет использования в них схемотехнического решения, совершенно отличного от ТТЛ. К основным причинам инерционности ключей, выполненных на биполярных транзисторах, следует отнести время рассасывания неосновных носителей из базовой области и постоянную времени перезарядки выходной ёмкости. Если время рассасывания транзистора при работе последнего в активной области может быть полностью исключено, то от влияния постоянной времени перезаряда выходной ёмкости транзистора полностью избавиться не представляется возможным. При неизменном постоянном токе перезарядка выходной ёмкости транзистора, длительность перехода которого из состояния, классифицируемого как логический «О», в состояние, классифицируемое как логическая «1» и обратно, может быть уменьшена только за счет снижения логического перепада. Такое решение позволяет повысить быстродействие. Однако достигается оно за счет снижения помехоустойчивости, что требует создания схем (при прочих равных условиях), менее подверженных действию помех. Этот принцип и использован при построении микросхем с ЭСЛ логикой. Рассмотрим принцип работы базового элемента с ЭСЛ логикой (рисунок 3.13). Рисунок 3. 13- Принципиальная схема базового элемента с ЭСЛ логикой Основой БЛЭ ЭСЛ является токовый ключ, выполненный на двух транзисторах. На базу одного из них, например VT2, подано некоторое постоянное опорное напряжение Uon. Изменение напряжения, по44
RkJQdWJsaXNoZXIy MTExODQxMg==