ром и входом на исток. На рисунке 2.20 представлены схемы включения полевого транзистора. Рисунок 2.20 - Схемы включения полевого транзистора Частотные свойст ва полевы х транзист оров Частотные свойства полевых транзисторов определяются постоянной времени RC - цепи затвора. Поскольку входная емкость у транзисторов с рп- переходом велика (десятки пикофарад), их применение в усилительных каскадах с большим входным сопротивлением возможно в диапазоне частот, не превышающих сотен килогерц - единиц мегагерц. При работе в переключающих схемах скорость переключения полностью определяется постоянной времени RC - цепи затвора. У полевых транзисторов с изолированным затвором входная емкость значительно меньше, поэтому их частотные свойства намного лучше, чем у полевых транзисторов с рп - переходом. Тепловые парамет ры полевы х т ранзист оров Тепловые параметры полевого транзистора характеризуют его устойчивость при работе в диапазоне температур. При изменении температуры свойства полупроводниковых материалов изменяются. Это приводит к изменению параметров полевого транзистора, в первую очередь тока стока и тока утечки затвора.
RkJQdWJsaXNoZXIy MTExODQxMg==