1 0— 2 0 раз уменьшается быстродействие (в первую очередь, из-за больших емкостей на входе и выходе транзисторов и очень высоких входных сопротивлений). Основой МОП - транзисторов является кремниевая подложка с проводимостью р- или n-типа. На подложке на малом расстоянии друт от друга созданы две области - стока и истока —с проводимостью, противоположной проводимости подложки. Между истоком и стоком расположена металлическая пленка - затвор, изолированная от подложки тонким слоем диэлектрика. Отсюда и название - транзисторы с изолированным затвором. Участок подложки под затвором между стоком и истоком образует проводящий канал. МОП —транзисторы принято характеризовать видом проводящего канала. Транзистор с каналом n-типа выполняется на подложке с проводимостью p-типа и наоборот. Когда говорят о МОП —транзисторе п- типа, подразумевают прибор с каналом n-типа. На рисунке 2.19 показан МОП - транзистор с каналом п-типа. Рисунок 2.19 - Структура МОП - транзистора с каналом п- типа. Некоторые серии микросхем выполнены на МОП - транзисторах одного типа проводимости, однако их достоинства в полной мере раскрываются при совместном применении МОП - транзисторов с противоположными типами проводимости. Подобные структуры называют комплементарными и обозначаются сокращенно КМОП - транзисторами. Полевой транзистор в качестве элемента схемы представляет собой активный несимметричный четырехполюсник, у которого один из зажимов является общим для цепей входа и выхода. В зависимости от того, какой из электродов полевого транзистора подключен к общему выводу, различают схемы: с общим истоком и входом затвор; с общим стоком и входом на затвор; с общим затво
RkJQdWJsaXNoZXIy MTExODQxMg==