Канал п-типа Кремний Рисунок 2.18 - Структура полевого транзистора с управляющим р-n переходом Для управления работой полевого транзистора на канал подается отрицательное напряжение по отношению к истоку. При увеличении отрицательного напряжения сопротивление сток-исток увеличивается, а при уменьшении отрицательного напряжения сопротивление сток-исток уменьшается. 2.2.3 МОП - транзисторы Большое распространение получили интегральные схемы на основе полевых транзисторов структуры металл-окисел- полупроводник (МОП - транзисторы). Принципиальные особенности МОП - транзисторов позволяют строить элементы и узлы цифровых устройств с малым потреблением электроэнергии при высокой помехоустойчивости. Первый МОП-транзистор, составляющий основу современной компьютерной индустрии, был изготовлен в 1960 году. Применение МОП - транзисторов позволяет почти в 10 раз увеличить число активных элементов на кристалле интегральной микросхемы и более чем в 1 0 3 раз уменьшить потребление энергии питания по сравнению с биполярными транзисторами. Однако почти в
RkJQdWJsaXNoZXIy MTExODQxMg==