Цифровая схемотехника: учебник / В. А. Эттель, Н. Н. Синкевич.

уменьшается. При уменьшении напряжения на затворе запирающий слой становится тоньше и площадь поперечного сечения канала увеличивается. Его сопротивление Ro постоянному току уменьшается, и ток стока ic увеличивается. а) полевой транзистор с изолированным затвором с каналом п-типа 3 б) полевой транзистор с изолированным затвором с каналом р-типа Рисунок 2.16 - Условное графическое обозначение полевых транзисторов с изолированным затвором Рисунок 2.17 - Принцип работы полевого транзистора с управляющим р- п переходом Структура полевого транзистора с управляющим р-n переходом представлена на рисунке 2.18. Полевой транзистор с управляющим р-n переходом — это полевой транзистор, затвор которого изолирован от канала р-n переходом, смещенным в обратном направлении.

RkJQdWJsaXNoZXIy MTExODQxMg==