- Полевые транзисторы с изолированным затвором. Проводимость канала может быть электронной или дырочной. Если канал имеет электронную проводимость, то он называется каналом n-типа. Каналы с дырочной проводимостью называются каналом р-типа. На рисунке 2.15 представлены условные графические обозначения полевых транзисторов с управляющим р-n переходом. Рисунок 2.15 - Условное графическое обозначение полевых транзисторов с управляющим р-n переходом Полевой транзистор с изолированным затвором — это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. Основным элементом таких приборов является структура металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). В качестве диэлектрической прослойки между металлом и полупроводником часто используют слой оксида, например оксид кремния. Такие структуры носят название МОП - структур. Металлический затвор обычно наносят на диэлектрик вакуумным распылением. На рисунке 2.16 представлены условные графические обозначения полевых транзисторов с изолированным затвором. Рассмотрим принцип работы полевого транзистора с управляющим р-n переходом (рисунок 2.17). Если увеличивать напряжение на затворе, то запирающий слой становится толще и площадь поперечного сечения канала уменьшается. Его сопротивление R0 постоянному току растет и ток стока ic с а) полевой транзистор с каналом п-типа б) нолевой транзистор с каналом р-типа
RkJQdWJsaXNoZXIy MTExODQxMg==