Будущее оптоэлектроники находится в прямой зависимости от прогресса фотодиодных структур. Оптическая электроника бурно развивается, разрабатываются новые типы фотоприемников, и наверняка уже скоро появятся фотодиоды на основе новых материалов с большей чувствительностью, повышенным быстродействием и с улучшенными характеристиками в целом. 2.2 Транзисторы В декабре 1947 г. американские физики Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн обнаружили эффект усиления тока в полупроводниковой структуре с двумя рп-переходами. В 1956 году исследователи получили Нобелевскую премию по физике "За исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта". В 1958 году два транзистора уместили на кремниевой подложке - в мире появилась первая интегральная схема. Человечество постоянно занимается тем, что пытается уместить на полупроводниковых подложках как можно больше транзисторов - и по той же цене. Свыше сорока лет соблюдается выведенный в 1965 году закон Гордона Мура о том, что число транзисторов на чипе каждые два года удваивается, а стоимость чипа падает на 50 процентов. Сегодня на одном чипе размещается до миллиарда столь необходимых переключателей. Ежегодно производятся миллиарды микросхем. Общее число транзисторов в них в 10 тысяч раз превышает число муравьев на Земле и в 10 миллионов раз - число звезд в Млечном Пути. Первоначально название «транзистор» относилось к резисторам, сопротивление которых управляется напряжением. В самом деле, транзистор можно представить как сопротивление, регулируемое напряжением на управляющем электроде. Транзистор — это трёхэлектродный полупроводниковый прибор, в котором ток в цепи двух электродов управляется третьим электродом.
RkJQdWJsaXNoZXIy MTExODQxMg==