2.1.4 Импульсные диоды Импульсные диоды имеют малую длительность переходных про* нессов и предназначены для работы в импульсных цепях. В отличие от выпрямительных диодов они отличаются малыми емкостями рп-перехода. Уменьшение емкости достигается за счет уменьшения площади рп-перехода, поэтому допустимые мощности рассеяния у них невелики. Импульсные диоды имеют высокую частоту переключения и используются при создании логических элементов. 2.1.5 Стабилитроны Если к рп-переходу подключить обратное напряжение, то при определенном его значении переход пробивается. Различают два вида пробоя: электрический (обратимый) и тепловой (необратимый), выводящий полупроводниковый прибор из строя. Если не ограничивать обратный ток, то элекгрический пробой перейдет в тепловой. Увеличение тока приводит к повышению температуры и дальнейшей генерации носителей процесс нарастает лавинообразно и приводит к изменению структуры кристалла и выхода его из строя. Явление пробоя находят практическое применение в стабилитронах - приборах, предназначенных для стабилизации напряжения. При прямом напряжении на стабилитроне его ВАХ ничем не отличается от обычного диода. При обратном включении напряжения у стабилитрона используется участок ВАХ в области и^имс • Схема включения стабилитрона представлена на рисунке 2.8,а. Условное графическое обозначение стабилитрона представлено на рисунке 2.8.6. О- - Ubx - О + 1)вых О Рисунок 2.8 - Условное графическое обозначение и схема включения стабилитрона
RkJQdWJsaXNoZXIy MTExODQxMg==