диоды имеют малую площадь перехода и предназначены для выпрямления малых токов. Условное графическое обозначение полупроводникового диода представлено на рисунке 2.2,а. а) б) Рисунок 2.2 - Условное графическое изображение и структура полупроводникового диода Структура полупроводникового диода представлена на рисунке 2.2,6. Вывод подключенный к p-области называется анодом (А), а вывод, подключенный к n-области называется катодом (К). Для выпрямительных диодов характерно, что они имеют малое сопротивление в прямом направлении и позволяют пропускать большие токи. При включении обратного напряжения сопротивление диодов резко возрастает. Работа полупроводникового диода в электрической схеме определяется его вольтамперной характеристикой (ВАХ). На рисунке 2.3 представлены вольтамперные характеристики кремниевого и германиевого диодов. Анализ вольтамперных характеристик кремниевого и германиевого диодов позволяет сделать следующие выводы: - прямое падение напряжения Unp на германиевом диоде почти в два раза меньше, чем на кремниевом, при одинаковых значениях прямого тока 1пр; - германиевый диод начинает проводить ток при ничтожно малом прямом напряжении Unp= 0,2 - 0,3В, а кремниевый — только при U,ip= 0,6 - 0,8В; - обратный ток Іобр кремниевого диода значительно меньше обратного тока германиевого при одинаковых обратных напряжениях.
RkJQdWJsaXNoZXIy MTExODQxMg==