стве БИС не удается сделать разводку межсоединений в одной плоскости без пересечений. Поэтому для БИС характерна многослойная разводка, расположенная обычно в 2-х или 3-х плоскостях. Изоляция слоев друг от друга и соединения между слоями представляют собой особую технологическую проблему. Контроль параметров. Электрический контроль параметров БИС до ее помещения в корпус осуществляется с помощью контактных измерительных зондов, подключаемых к контактным площадкам выводов БИС. Если предположить, что БИС имеет 50 выводов, и учесть, что на каждом выводе может быть два значения «0» или «1», то для полноценной проверки функционирования БИС (только в статике) потребуется 250 » К)15 измерений. При длительности каждого измерения 1 мкс контроль едной БИС займет около 25 лет. Следовательно, контроль должен быть выборочным, а количество измерений не должно превышать 200 - 300. Причем судить о работоспособности БИС можно будет с определенной вероятностью. Физические ограничения на размеры элементов. Размеры элементов современных БИС лежат в пределах единиц и менее микрюметров. Уменьшение размеров элементов БИС приводит к появлению дополнительных ограничений. Во-первых, начинает сказываться неравномерное (статистическое) распределение примеси в полупроводниках, т. е. количество атомов примеси на участках одинаковой площади будет различным, а следовательно, будут различаться по параметрам элементы, сформированные на этих участках. Во-вторых, возрастет роль технологических допусков. В-третьих, возрастают напряженности электрических полей, и полупроводниковый слой приобретает нелинейные свойства. Установлено также, что при линейных размерах менее 1 - 2 мкм определенную роль начинают играть шумовые флюктуации, влияние космического излучения и естественный радиационный фон Земли. Все это свидетельствует о том, что при размерах менее 1 мкм микроэлектроника становится самостоятельным научно- техническим и технологическим направлением.
RkJQdWJsaXNoZXIy MTExODQxMg==