ячейку памяти, указанную сигналами на адресных входах, появятся на выходах Оі Операция считывания не разрушает содержимого ОЗУ D) В состоянии записи Данные, помещенные на линии Оі, запишутся в ячейку памяти указанную сигналами на адресных входах E) В состоянии чтения Данные, помещенные в ячейку памяти, указанную проинвертирсванными сигналами на адресных входах, появятся на выходах Di в инверсной форме Операция считывания нс разрушает содержимого ОЗУ 94. Перечислить адреса размещении и данные, помещаемые в ОЗУ, в ходе операции записи в течение импульсов b, с, d, е A) Импульс b — адрес 0000, данные 1111; импульс с — адрес 0001, данные 1110; импульс d — адрес 0010, данные 1101; импульс е — адрес 0011, данные 1100 B) Импульс b — адрес 0000, данные 1111; импульс с — адрес 1000, данные 0111; импульс d — адрес 0011, данные 1100; импульс е — адрес 0011, данные 1100 C) Импульс b — адрес 0000, данные 1111; импульс с — адрес 0001, данные 1110; импульс d — адрес 1100, данные 0011; импульс е — адрес 0011, данные 1100 D) Импульс b — адрес 0000, данные 1111; импульс с — адрес 0001, данные 1110; импульс d — адрес 0011, данные 1101; импульс е — адрес 1100, данные 1100 E) Импульс b — адрес 0000, данные 1111; импульс с — адрес 0001, данные 1110; импульс d — адрес 0011, данные 1101; импульс е — адрес 0110, данные 0110 95. Что нужно сделать для превращения ОЗУ в ПЗУ? A) Исключить вход активизации записи WE и четыре входа данных D 1-D4 B) Исключить вход выбора кристалла CS и четыре входа данных D1-D4 C) Устранить четыре входа данных D1-D4 D) Устранить инвертирование на выходах 01 -04 E) Исключить вход WE и четыре выхода 01 -04
RkJQdWJsaXNoZXIy MTExODQxMg==