Сигнал записи WR позволяет записать логические уровни, присутствующие на информационных входах во внутреннюю ячейку ОЗУ. Сигнал чтения RD позволяет выдать содержимое внутренней ячейки памяти на информационные выходы микросхемы. В приведенной на рисунке 7.1 схеме невозможно одновременно производить операцию записи и чтения, но обычно это и не нужно. Конкретная ячейка микросхемы выбирается при помощи двоичного кода - адреса ячейки. Объем памяти микросхемы зависит от количества ячеек, содержащихся в ней или, что то же самое, от количества адресных проводов. Количество ячеек в микросхеме можно определить по количеству адресных проводов возводя 2 в степень, равную количеству адресных выводов в микросхеме: М= Т Вывод выбора кристалла CS позволяет объединять несколько микросхем для увеличения объема памяти ОЗУ. Такая схема приведена на рисунке 7.3 Рисунок 7.3 - Схема ОЗУ, построенного на нескольких микросхемах памяти
RkJQdWJsaXNoZXIy MTExODQxMg==