1000000 раз. Время стирания ячейки памяти в таких микросхемах уменьшается до 10 мс. Схема управления для таких микросхем получилась сложная, поэтому наметилось два направления развития этих микросхем: ЕСПГІЗУ, FLASH -ПЗУ. Электрически стираемые ППЗУ дороже и меньше но объему, но зато позволяют перезаписывать каждую ячейку памяти отдельно. В результате эти микросхемы обладают максимальным количеством циклов записи - стирания. Область применения электрически стираемых ПЗУ - хранение данных, которые не должны стираться при выключении питания. К таким микросхемам относятся отечественные микросхемы 573PP3, 558РР и зарубежные микросхемы серии 28сХХ. Электрически стираемые ПЗУ обозначаются на схемах как показано на рисунке 6.9. Рисунок 6.9 - Обозначение электрически стираемого постоянного запоминающего устройства на принципиальных схемах В последнее время наметилась тенденция уменьшения габаритов ЭСППЗУ за счет уменьшения количества внешних ножек микросхем. Для этого адрес и данные передаются в микросхему и из микросхемы через последовательный порт. При этом используются два вида последовательных портов - SPI порт и I2C порт (микросхемы 93сХХ и 24сХХ серий соответственно). Зарубежной серии 24сХХ соответствует отечественная серия микросхем 558РРХ. FLASH - ПЗУ отличаются от ЭСППЗУ тем, что стирание производится не каждой ячейки отдельно, а всей микросхемы в 113
RkJQdWJsaXNoZXIy MTExODQxMg==