Ревич, Ю.В. Программирование микроконтроллеров AVR: от Arduino к ассемблеру

Глава 12. Интерфейс SPI 329 (обычно) ячейкам, в то время как flаsh-память может программироваться только блоками. В табл. 1 2 . 1 приведены некоторые наиболее распространенные типы микросхем памяти EEPROM, спроектированные в Atmel . Отметим, что номера, обозначающие серию (а также в большинстве случаев и цоколевка выводов), чаще всего сохраня­ ются для тех же разновидностей памяти и у других производителей. Таблица 12. 1 . Некоторые серии микросхем памяти производства Аtте/ Номер серии Емкость, биты Ти п и интерфейс Питание, В 27 256 К + 8 М Параллельная ОТР EPROM 4. 5+5 . 5 28 64 К + 4 М Параллельная EEPROM 4 . 5+5 . 5 25 1 К + 1 М Последовательная (SPI ) EEPROM 1 . 8+5 5 24 1 к + 1 м Последовательная ( 1 2С) EEPROM 1 . 7+5 . 5 45 1 М + 64 М Последовательная (SPI ) Flash 2. 7+3.6 Отметим, что микросхем flаsh-памяти серии 45 в номенклатуре Atmel (точнее, со­ ответствующего подразделения Microchip) больше не числится . Однако эти микро­ схемы доступны в продаже и выпускаются другими фирмами (Adesto), потому слегка остановимся на разнице между EEPROM и Flash . Ее легко понять, если вни­ мательно рассмотреть технические характеристики той и другой : например, в серии АТ25 (EEPROM) запись одного байта занимает 5 мс, в то время как в серии АТ45 (Flash) те же 3--6 мс займет запись целой страницы (5 1 2 или 528 байтов), но предва­ рительно придется ее стереть, что потребует 40 мс. Время стирания целой микро­ схемы АТ45 объемом 1 6 Мбит потребует около 25 секунд. Но даже с учетом таких долгих операций, среднее время на перепрограммирование одного байта во Flash окажется примерно в 1 00 раз меньше . Отсюда и различие в применении: при боль­ шой емкости последовательно заполняемой памяти целесообразнее Flash, если же требуется стохастическое выборочное заполнение памяти побайтно, без перепро­ граммирования других ячеек, то EEPROM оказывается удобнее . Доступ к «чистой» EEPROM проще и заключается по сути в двух очевидных опе­ рациях: послать команду- записать/прочесть байт (см. главу 1 О) . Зато такая память в целом медленнее и к тому же, как видно из табл . 1 2 . 1 , имеет небольшую емкость . Работу с EEPROM серии АТ24 мы рассмотрим в следующей главе, когда будем говорить о функционировании интерфейса 1 2 С. Здесь же мы опишем flаsh­ память серии АT45DBxxxB, которая отличается встроенным SRАМ-буфером и операциями записи, объединяющими стирание страницы в памяти с собственно записью. Серия работает при напряжении питания 2,7-3 ,6 В и может иметь емкость до 64 Мбит (8 Мбайт) . Обратите внимание, что, как и любая flаsh-память, микросхемы серии AT45DB достаточно много потребляют в режиме записи/стирания : до 20- 25 мА. Это присуще всем микросхемам энергонезависимой памяти, причем в об­ щем случае потребление с увеличением емкости кристалла растет.